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石英晶振參數(shù)相關(guān)資料
來源：http://review-result.com 作者：yijindz 2013年08月15
存在我們周圍的所有產(chǎn)品也都有它們各自的屬性和用途,有些簡單易懂的小東西可以快速被我們記住和利用以至于實現(xiàn)自身價值,而有些復雜的東西則不然我們需要一定時間去了解才能琢磨透,記得以前聽過演說家講的一堂記憶連鎖法,就是把復雜的東西簡單化把它想成是很有趣的東西,讀書時的英語單詞特別長又難記估計大家都有過把它寫成相近口音的中文,比如because通常我們會寫中文"筆殼子" I love you這個詞相信大家都不陌生"愛老虎油"等等很多.題外話就寫到這還是說說我們的正題吧.億金電子是一家電子元器件專業(yè)晶振供應商生產(chǎn)銷售一體化,提供高小型,低耗電,高穩(wěn)定,高精度石英晶振,億金作為一個專業(yè)的電子元器件供應商對于產(chǎn)品有自己的獨特見解,下面例舉一些重要參數(shù)我們要了解:石英晶體的基本參數(shù),石英晶體的電性參數(shù),石英晶體的測試參數(shù).
(1) 晶振的標稱頻率與允許誤差關(guān)聯(lián)關(guān)系和區(qū)別
使用正確的振蕩線路匹配下,從整個振蕩線路輸出的頻率,稱之為"標稱頻率(nominal frequency". 標稱頻率單位一般是以兆赫( megahertz, MHz) 或 仟赫(Kilohertz, KHz)表示.在實際的批量生產(chǎn)及振蕩線路應用上, 產(chǎn)品在室溫環(huán)境(25oC)中都會有一些相對于標稱頻率的頻率散布允許頻率的偏差. 這類型的頻率允許偏差的最大允許值,一般是以ppm ( parts per million )或%( percent ) 來表示.
(2) 晶振的負載電容 ( Load Capacitance, CL )
在大多數(shù)的情況下振蕩線路上的”負載電容(load capacitance)’定義為:從石英晶振的兩個端子看向振蕩線路所遭遇到的所有電容值.負載電容在線路上可以與石英晶振以并聯(lián)(parallel)或以串聯(lián)(series)的方示連接. 以并聯(lián)方式連接的振蕩線路中, 負載電容(CL)的大小會影響標稱頻率的特性.這種負載電容并聯(lián)線路的共振頻率以fL表示
(3)晶振的頻率與溫度穩(wěn)定性關(guān)聯(lián)關(guān)系和區(qū)別( Frequency-Temperature Stability )
石英晶振的頻率因溫度變化而改變, 這是因起于石英晶振的材料在各個坐標軸向的熱膨脹系數(shù)不同, 當溫度變化時,各軸向晶格距產(chǎn)生些許變化.當引用不同的切割角度時,不同振蕩模態(tài)的之變化也會不同.晶振頻率的偏差對溫度穩(wěn)定性的特性, 亦如同公稱頻率誤差一樣,是以ppm或是以%為計量單位. 組件的頻率溫度特性曲線與石英的切割角度,振蕩模態(tài),表面處理及外型尺寸都有很大的關(guān)系.除此之外,振蕩線路上的負載電容(CL),驅(qū)動功率(drive level)的特性,也會影響到振蕩線路輸出頻率的偏差對溫度變化的穩(wěn)定性.
(4)晶振的動態(tài)電容( Motional Capacitance C1 )
晶振的動態(tài)電感關(guān)聯(lián)關(guān)系和區(qū)別( Motional Inductance L1 )在公式一中, ,動態(tài)電容C1及動態(tài)電感L1與串聯(lián)偕振頻率,fs ,是相互關(guān)聯(lián)的.在實際的量測系統(tǒng)中,我們只能測量到動態(tài)電容C1及串聯(lián)協(xié)振頻率fs . 動態(tài)電感L1是由公式
(5)晶振的靜態(tài)電容( Static Capacitance or Shunt Capacitance, Co )
靜態(tài)電容是以Co來表示,主要來自于以石英芯片為介電材料與兩個電極所形成的電容為主;另外一小部份的靜態(tài)電容來自連接石英芯片與接線的導電接著材料之間的電容和封裝外殼的電容.靜態(tài)電容是在遠低于振蕩頻率的范圍量測出來的,以避免在受到振蕩頻率附近的動態(tài)電容影響.公式(5)是靜態(tài)電容的數(shù)學表示式.
(6)石英晶振老化( AGING )
“老化”顧名思意就是指在某一段特定時間范圍內(nèi),石英晶體共振子隨時間的頻率變化,以百萬分之一(parts per million, ppm )為表示的單位.老化在頻率與時間上的特性曲線,一般是呈現(xiàn)指數(shù)(exponential)型態(tài)的變化. 頻率老化變動最大的期間是在石英頻率組件制成后的第一個月之后,頻率的變化就隨時間逐漸減少.頻率的老化特性有好幾個主要的因素影響.比如說,封裝的方法, 材料的種類, 制程溫度, 制程管控, 熱處理過程及產(chǎn)品的尺寸和頻率高低.在規(guī)格上大多都要定義出短期(1~3個月) 或長期(1~10年)的頻率老化需求.
(7)石英晶振儲存溫度范圍( STORAGE TEMPERATURE RANGE )
除了在前面的工作環(huán)境溫度范圍之外,另一項與溫度有關(guān)的特性是”儲存溫度范圍(Storage Temperature Range)”. 這個參數(shù)指的是產(chǎn)品在靜態(tài)狀況下可以儲存的最高與最低溫度范圍. 在這個溫度范圍內(nèi), 產(chǎn)品必需保證在長時期的儲存后, 還是可以在工作溫度范圍內(nèi)正常的工作并符合規(guī)格. 這項特性與石英 晶振共振子的組件設計及制程設計有很大關(guān)系, 要小心的定義.
以上介紹的是晶振主要特性和須知條件,在與客戶溝通過程中會問到負載電容是多,兆級49S和49SMD貼片晶振負載電容一般為20PF,插件的表晶32.768K負載電容有6PF 8PF 10PF 12.5PF,還有一些進口晶振貼片型頻率32.768K常用負載電容為12.5PF也有7PF和9PF.了解產(chǎn)品更多詳細參數(shù)可致電億金業(yè)務熱線0755-27876565為您提供最專業(yè)的解答
也可點擊阿里巴巴產(chǎn)品技術(shù)庫:http://yijindz.cn.1688.com/
(1) 晶振的標稱頻率與允許誤差關(guān)聯(lián)關(guān)系和區(qū)別
使用正確的振蕩線路匹配下,從整個振蕩線路輸出的頻率,稱之為"標稱頻率(nominal frequency". 標稱頻率單位一般是以兆赫( megahertz, MHz) 或 仟赫(Kilohertz, KHz)表示.在實際的批量生產(chǎn)及振蕩線路應用上, 產(chǎn)品在室溫環(huán)境(25oC)中都會有一些相對于標稱頻率的頻率散布允許頻率的偏差. 這類型的頻率允許偏差的最大允許值,一般是以ppm ( parts per million )或%( percent ) 來表示.
(2) 晶振的負載電容 ( Load Capacitance, CL )
在大多數(shù)的情況下振蕩線路上的”負載電容(load capacitance)’定義為:從石英晶振的兩個端子看向振蕩線路所遭遇到的所有電容值.負載電容在線路上可以與石英晶振以并聯(lián)(parallel)或以串聯(lián)(series)的方示連接. 以并聯(lián)方式連接的振蕩線路中, 負載電容(CL)的大小會影響標稱頻率的特性.這種負載電容并聯(lián)線路的共振頻率以fL表示
(3)晶振的頻率與溫度穩(wěn)定性關(guān)聯(lián)關(guān)系和區(qū)別( Frequency-Temperature Stability )
石英晶振的頻率因溫度變化而改變, 這是因起于石英晶振的材料在各個坐標軸向的熱膨脹系數(shù)不同, 當溫度變化時,各軸向晶格距產(chǎn)生些許變化.當引用不同的切割角度時,不同振蕩模態(tài)的之變化也會不同.晶振頻率的偏差對溫度穩(wěn)定性的特性, 亦如同公稱頻率誤差一樣,是以ppm或是以%為計量單位. 組件的頻率溫度特性曲線與石英的切割角度,振蕩模態(tài),表面處理及外型尺寸都有很大的關(guān)系.除此之外,振蕩線路上的負載電容(CL),驅(qū)動功率(drive level)的特性,也會影響到振蕩線路輸出頻率的偏差對溫度變化的穩(wěn)定性.
(4)晶振的動態(tài)電容( Motional Capacitance C1 )
晶振的動態(tài)電感關(guān)聯(lián)關(guān)系和區(qū)別( Motional Inductance L1 )在公式一中, ,動態(tài)電容C1及動態(tài)電感L1與串聯(lián)偕振頻率,fs ,是相互關(guān)聯(lián)的.在實際的量測系統(tǒng)中,我們只能測量到動態(tài)電容C1及串聯(lián)協(xié)振頻率fs . 動態(tài)電感L1是由公式
(5)晶振的靜態(tài)電容( Static Capacitance or Shunt Capacitance, Co )
靜態(tài)電容是以Co來表示,主要來自于以石英芯片為介電材料與兩個電極所形成的電容為主;另外一小部份的靜態(tài)電容來自連接石英芯片與接線的導電接著材料之間的電容和封裝外殼的電容.靜態(tài)電容是在遠低于振蕩頻率的范圍量測出來的,以避免在受到振蕩頻率附近的動態(tài)電容影響.公式(5)是靜態(tài)電容的數(shù)學表示式.
(6)石英晶振老化( AGING )
“老化”顧名思意就是指在某一段特定時間范圍內(nèi),石英晶體共振子隨時間的頻率變化,以百萬分之一(parts per million, ppm )為表示的單位.老化在頻率與時間上的特性曲線,一般是呈現(xiàn)指數(shù)(exponential)型態(tài)的變化. 頻率老化變動最大的期間是在石英頻率組件制成后的第一個月之后,頻率的變化就隨時間逐漸減少.頻率的老化特性有好幾個主要的因素影響.比如說,封裝的方法, 材料的種類, 制程溫度, 制程管控, 熱處理過程及產(chǎn)品的尺寸和頻率高低.在規(guī)格上大多都要定義出短期(1~3個月) 或長期(1~10年)的頻率老化需求.
(7)石英晶振儲存溫度范圍( STORAGE TEMPERATURE RANGE )
除了在前面的工作環(huán)境溫度范圍之外,另一項與溫度有關(guān)的特性是”儲存溫度范圍(Storage Temperature Range)”. 這個參數(shù)指的是產(chǎn)品在靜態(tài)狀況下可以儲存的最高與最低溫度范圍. 在這個溫度范圍內(nèi), 產(chǎn)品必需保證在長時期的儲存后, 還是可以在工作溫度范圍內(nèi)正常的工作并符合規(guī)格. 這項特性與石英 晶振共振子的組件設計及制程設計有很大關(guān)系, 要小心的定義.
以上介紹的是晶振主要特性和須知條件,在與客戶溝通過程中會問到負載電容是多,兆級49S和49SMD貼片晶振負載電容一般為20PF,插件的表晶32.768K負載電容有6PF 8PF 10PF 12.5PF,還有一些進口晶振貼片型頻率32.768K常用負載電容為12.5PF也有7PF和9PF.了解產(chǎn)品更多詳細參數(shù)可致電億金業(yè)務熱線0755-27876565為您提供最專業(yè)的解答
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